BSP149 E6327
Hersteller Produktnummer:

BSP149 E6327

Product Overview

Hersteller:

Infineon Technologies

Teilenummer:

BSP149 E6327-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 200 V 660mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4

Inventar:

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12799490
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BSP149 E6327 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
SIPMOS®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
200 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
660mA (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
0V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
1.8Ohm @ 660mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
1V @ 400µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
14 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
430 pF @ 25 V
FET-Funktion
Depletion Mode
Verlustleistung (max.)
1.8W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-SOT223-4
Paket / Koffer
TO-261-4, TO-261AA

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
BSP149 E6327
HTML-Datenblatt
BSP149 E6327-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
1,000
Andere Namen
BSP149E6327T
SP000011104
BSP149 E6327-DG
BSP149E6327

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
RoHS non-compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternative Modelle

Teilenummer
BSP149H6906XTSA1
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
55
TEILNUMMER
BSP149H6906XTSA1-DG
Einheitspreis
1.05
ERSATZART
Parametric Equivalent
Teilenummer
BSP149H6327XTSA1
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
25184
TEILNUMMER
BSP149H6327XTSA1-DG
Einheitspreis
0.48
ERSATZART
Parametric Equivalent
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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